氮化镓本身的迁移率并不高，为什么把他叫做高电子迁移率晶体管（HEMT）呢？ 如果我们学过半导体器件物理的话，那么就知道，表征MOS器件性能有一个图，叫Inversion Q versus carrier…
载流子迁移率的单位是什么 c㎡/v·s，载流子迁移率在固体物理学中用于指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，。
半导体的电子迁移率的作用是什么？ 锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
电脑里哪些部件会发生电子迁移的可能？
载流子迁移率的单位是什么 c㎡/v·s，载流子迁移率在5261固体物理学中用4102于指代半导体内部电子和空穴整体的运动1653快慢。电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。扩展资料：迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究。迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比。参考资料来源：-载流子迁移率
户口迁移证上的“网上核验电子迁移证号”有啥用？ 我的户口迁移证右上角有两个迁移这号，一个是印刷的“湘迁字第XXX号”另一个是打印的“网上核验电子迁移…
电子迁移率表示什么？ 迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率
电子漂移和电子迁移是一个意思吗？ 不是一个意思，电子漂移可以理解为扩散，就是导体或者半导体中电子在无外力的情况下自由扩散现象。但是电子迁移是受到外部电场的作用而形成的有规律的电子运动
