有机金属化合物cvd原理 薄膜制备方法

气相沉积法 怎么先把铜 化合成有机金属 或 气体铜离子 金属有机化学气相沉积（MOCVD）是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体...