位错环运动最小半径 位错攀移的实验观察

位错攀移的实验观察 在单晶生长中常利用位错攀移来消除空位。例如拉制单晶硅时，首先高速拉制，是单晶中的空位过饱和，然后使生长的单晶逐渐变细，则多余半原子面与空位不断交换而逐渐退出晶体。位错攀移运动已通过实验得到验证。例如，通过薄膜透射电镜观察...