栅氧化层与阈值电压 阈值电压影响因素

mos晶体管的MOS晶体管 - 阈值电压的影响因素 第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅(栅氧化层)中的电荷Qss以及电荷的性质。这种电荷通常是由多种原因产生的，其中的一部分带正电，一部分带负电，其净电荷的极性显然会对衬底表面产生电...