为什么栅氧化层比较薄 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εSd，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多。mosfet夹断理解误区到底怎么解释？ ...
