怎样抑制mos体二极管反向恢复 ①体二极管的反向恢复特性分析理解了反向恢复特性，对抑制体二极管反向恢复方法至关重要。功率场效应管Power MOSFET的结构如下：图中的结构可以看到，P基区和N-epi形成了一个PN结，即MOSFET的寄生体二极管。电荷存储效应当体二极管外加正向电压VF时，正向电压削弱了PN结的内电场，漂移运动被削弱，扩散运动被增强，扩散和漂移的动态平衡被破坏。造成P区的空穴流向N区，N区的电子流向P区。因此，在P区和N区的少子比无外加电压时多，这些多出来的少子称为非平衡少子。非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。存储电荷的释放当体二极管施加反向电压时，P区存储的电子和N区存储的空穴将通过两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂移电流；与多数载流子复合。②体二极管的反向恢复的抑制和改善在实际应用中，从以上分析可以总结出关于MOSFET体二极管在实际应用中的应用要领：优化布线减小线路的寄生电感，从而减小在反向恢复过程中的Ringing调整开关速度来控制反向恢复时电流导数选择快速恢复功率场效应管来进行设计。
请问mos管存在寄生二极管？
mos如何管构成二极管
MOS管上的二极管什么作用 大部分二极管所2113具备的电流方向性通常称之为“5261整4102流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是1653只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
mosfet电路图中的反向二极管什么作用？就是圈里面的二极管，体二极管是什么？ 有问题，上知乎。知乎，可信赖的问答社区，以让每个人高效获得可信赖的解答为使命。知乎凭借认真、专业和友善的社区氛围，结构化、易获得的优质内容，基于问答的内容生产。
请问：MOS管截止时，电流还会不会从体二极管流过？ 电流可以走体二极管的！体二极管是一个标准的二极管，一般电流通过能力=场效应管的电流通过能力，这个在场效应管的数据表里面有单独的一个表格来介绍，叫做Source drain diode，你可以去查看一下
mos管里面集成的体二极管为什么特性极差类似坏的二极管，就不能集成个好二极管么？ V-MOS管里面的二极管并不是集成进去的，而是制造工艺不可避免的与“底衬”之间的寄生二极管。“特性差”是测量过程不规范，把栅极与漏极短路起来测量就行了。。
MOS管上的二极管什么作用 原发布者：kyuno MOS管的作用主板MOS管为压控元件，你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小.这就是常说的精典是。
mos管旁边为什么要并以二极管 那是续流二极管，是防止场效应管反向击穿而设置的。
MOS管上的二极管什么作用
