电力mosfet为什么比信息电子电路mosfet有耐高压,大电流的能力 通常电力MOSFET管的耐压能力

请问有耐压值超过800的MOSFET管吗？如果有请告诉我几个具体的型号？ 有：2sk 2348-1200v14A，2sk 1489-1000v12A，2sk995-800v5A。与信息电子电路中的MOSFET相比，电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力？ 1、电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多，mosfet的耐压和电流自然小些。2、mosfet工艺是一样的，是可以通用的，不是说信息电子电路mosfet就不能用在电力上，电力的一些设备也有只需要低压小电流的。电力mosfet为什么比信息电子电路mosfet有耐高压，大电流的能力 1、电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多，mosfet的耐压和电流自然小些。2、mosfet工艺是一样的，是可以通用的，不是说信息电子电路mosfet就不能用在电力上，电力的一些设备也有只需要低压小电流的。电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点 GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。望采纳~与信息电子电路中的MOSFET相比，电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力 1、电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多。GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点？ IGBT 开关速度高，开关损耗小，2113具有耐脉5261冲电流冲击的能力，通态压降较低，4102输入阻抗高，为电压驱动1653，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTOGTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置与信息电子电路中的MOSFET相比，电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力 答：第一点：电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构，增大了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。第二点：电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，。各位大师。场效应管，mosfet功率管，igbt。是不是耐压值越高，导通内阻就越大啊？ 没有这个说法。GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件，试给出各元件的主要特点？ GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，。

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