背散射电子能量二次电子像 电子束入射固体样品表面会激发哪些信号？它们有哪些特点和用途？

电子束入射固体样品表面会激发哪些信号？它们有哪些特点和用途？ 1)背散射电子：能量高；来自样品表面几百nm深度范围；其产额随原子序数增大而增多.用作形貌分析、成分分析以及结构分析。2)二次电子：能量较低；来自表层5—10nm深度范围；对样品表面化状态十分敏感。不能进行成分分析.主要用于分析样品表面形貌。3)吸收电子：其衬度恰好和SE或BE信号调制图像衬度相反；与背散射电子的衬度互补。吸收电子能产生原子序数衬度，即可用来进行定性的微区成分分析.4)透射电子：透射电子信号由微区的厚度、成分和晶体结构决定.可进行微区成分分析。5)特征X射线：用特征值进行成分分析，来自样品较深的区域6)俄歇电子：各元素的俄歇电子能量值很低；来自样品表面1—2nm范围。它适合做表面分析。扫描电镜中二次电子像为什么比背射电子像的分辨率更高？ 在同一个像素点，主要二次电子取样区相对背散射电子取样区要小很多，因此在相同大小微观区域，可以分割排列更多像素，图像分辨率因此更高！对此有问题可以继续提问！SEM二次电子成像和背散射电子成像 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：柏华玉扫描电镜二次电子及背散射电子成像技术扫描电镜成像主要是利用样品表面的微区特征，如形貌、原子序数、化学成分、晶体结构或位向等差异，在电子束作用下产生不同强度的物理信号，使阴极射线管荧光屏上不同的区域呈现出不同的亮度，从而获得具有一定衬度的图像，常用的包括主要由二次电子(SE，secondary electron)信号所形成的形貌衬度像和由背散射电子(BSE，backscattered electron)信号所形成的原子序数衬度像。1.二次电子(SE)像—形貌衬度二次电子是被入射电子轰击出的原子的核外电子，其主要特点是：(1)能量小于 50eV，在固体样品中的平均自由程只有10～100nm，在这样浅的表层里，入射电子与样品原子只发出有限次数的散射，因此基本上未向侧向扩散；(2)二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a，a大的面发射的二次电子多，反之则少。根据上述特点，二次电子像主要是反映样品表面10 nm左右的形貌特征，像的衬度是形貌衬度，衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。如果样品表面光滑平整（无形貌特征），则不形成衬度；而对于表面有一定形貌的样品，其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面。利用扫描电镜分析时二次电子与被散射的区别。 1、分辨率不同二次电子的分辨率高，因而可以得到层次清晰，细节清楚的图像，被散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的，成像单元较大，因而分辨率较二次电子像低。2、运动轨迹不同（1）被散射电子以直线逸出，因而样品背部的电子无法被检测到，成一片阴影，衬度较大，无法分析细节，但可以用来显示原子序数衬度，进行定性成分分析。二次电子对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。（2）利用二次电子作形貌分析时，可以利用在检测器收集光栅上加上正电压来吸收较低能量的二次电子，使样品背部及凹坑等处逸出的电子以弧线状运动轨迹被吸收，因而使图像层次增加，细节清晰。3、能量不同（1）二次电子是指当入射电子和样品中原子的价电子发生非弹性散射作用时会损失其部分能量(约 30～50 电子伏特)，这部分能量激发核外电子脱离原子，能量大于材料逸出功的价电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子。（2）被散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子。既包括与样品中原子核作用而形成的弹性背散射电子，又包括与样品中核外电子作用而形成的非弹性散射电子，所以被散射电子能量较高。扩展资料：应用范围⑴生物：。扫描电镜成像时接收的电子信号主要有哪些 入射电子束射入样品表面，扩散成一个水滴状，从上至下激发出的信号有：1、俄歇电子，深度埃米级别：能量很弱，扫描电镜探测器不百能采集，有专门的俄歇电镜和俄歇能谱仪；2、二次电子，深度亚微米到5μm级别：二次电子又分SE1和SE2，分别被电镜不同二次电子探测器接收，形成形貌像；3、阴极荧光、连续X射线：扫描电度镜探测器不能采集；4、背散射电子：扫描电镜背散射探头采集，可形成元回素成分分布像和元素成分+形貌像；5、特征X射线：扫描电镜能谱仪接收，形成元素成分分布像和元素含量分布结果；6、吸收电子：吸收了，没有然后；7、透射电子：亚微米到微答米级别厚度的样品可能透过样品产生透射电子，需要借助透射电镜采集，形成透射电镜像或者能谱结果。背散射电子能获得与二次电子同级别分辨率的图像吗？ 应该不可以吧，两种电子的能量不同，导致两种电子的波长不同，这是决定分辨率的一个因素，另外估计背散射的电子束的平行度应该也要差一些，这也会降低分辨率。以上只是个人主观认为的，实际的我也不清楚，没拍过。二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点 仅供参考背散射电子像zd的衬度要比二次电子像的衬度大，二次电子一般用于形貌分析，背散射电子一般用于区别不同的相。二次电子像：1）凸出的尖棱，小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多，在荧光屏上这部分的亮度较大。2）平面上的二次电子产额较小，亮度较低。3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子，使其不易被控制到，因此相应衬度专也较暗。背散射电子像：1）用背散射电子进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子像低。2）背散射电子能量高，以直线轨迹逸出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此，其图象衬度很强，衬度太大会失去细节的层次，不利于分析。因此，背散射电子形貌分析效果远不属及二次电子，故一般不用背散射电子信号。扫描电镜成像时接收的电子信号主要有哪些？ 入射电子束射入样品表面，扩散成一个水滴状，从上至下激发出的信号有：1、俄歇电子，深度埃米级别：能量很弱，扫描电镜探测器不能采集，有专门的俄歇电镜和俄歇能谱仪；2、二次电子，深度亚微米到5μm级别：二次电子又分SE1和SE2，分别被电镜不同二次电子探测器接收，形成形貌像；3、阴极荧光、连续X射线：扫描电镜探测器不能采集；4、背散射电子：扫描电镜背散射探头采集，可形成元素成分分布像和元素成分+形貌像；5、特征X射线：扫描电镜能谱仪接收，形成元素成分分布像和元素含量分布结果；6、吸收电子：吸收了，没有然后；7、透射电子：亚微米到微米级别厚度的样品可能透过样品产生透射电子，需要借助透射电镜采集，形成透射电镜像或者能谱结果。二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处 二次电子主要显示形貌衬度，背散射同时还可以表现成分衬度，但形貌衬度表现的不如二次电子.背向电子源的不能被接收，所以分辨能力稍差二次电子包括俄歇电子和光电子吗？他们三者都有啥区别呀？ 二次电子通常是与背散射电子（又称一次电子）相对应，分别用于SEM中的形貌衬度像（SE）和原子序数衬度像…

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