MOSFETS饱和时候的漏极电流公式？ α＝Ec／Ey＋〔（Ec／Ey）2＋1〕1／2为修正因子，Ecrit＝αEc为修正后的速度饱和临界电场，Ey＝Vds／L为Y方向电场。
求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率 ^MOS管饱2113和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，算的时5261候注意单位4102统一，需要1653指出的是，你那单位面积的电容算错了，单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox，其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级，氧化层厚度算20nm的话，那这个电容应该就在0.01F/m^2的数量级，电子迁移率0.135m^2/(V·s)都算高的，实际MOS管中因为表面态的影响，还不到这个值，经验值是减半，大概是0.07吧，乘以电容也就是10^-4数量级了，如果MOS管宽长比算单位1的话，乘上个电压，电流数量级也就在十的负三负四次方的级别，主要就是你的电容数量级算错了
求几种集成电路工艺中高精度电阻和电容的制作方法？？ 2高精度电阻的制作2．1掺杂法集成电路中用掺杂法制作电阻，一般采用扩散电阻法和离子注入法。2．1．1扩散电阻法扩散电阻法工艺简单，但精度较低，寄生效应大，面积较大。。
