双氧水可以氧化砷化氢吗 可以的，根据过氧化氢的还原电位为1.77V，AsH3为-0.38V反应得到砷酸H3AsO4和水
含有砒霜 答案 C解析 本题考查氧化还原反应。砒霜(As2O3)的试样和锌、盐酸混合反应的方程式为 As2O3＋6Zn＋12HCl=2AsH3＋6ZnCl2＋3H2O。根据砷的相对原子质量为 75，若砷的质量为 1.50 mg，物质的量为 0.02 mmol，被还原的砒霜为 0.02 mmol÷2×198 g·mol－1＝1.98 mg，和砒霜反应的锌为 3.90 mg。2AsH3 2As＋3H2 分解产生的氢气标准状况下为 0.03 mmol×22.4 L·mol－1＝0.672 mL；转移的电子总数为 1.8×10－4NA。
砷化氢的化学性质 AsH3的化学性质介于PH3及SbH3之间。与一些较重的氢化物一样（例如SbH3、H2Te和SnH4），AsH3不稳定（动力学上较稳定，但热力学上不稳定）。2AsH3—→3H2+2As分解反应是马氏试砷法的基础（见下文）。仍以SbH3作比较，AsH3易被O2或空气氧化：2AsH3+3O2→As2O3+3H2O砷化氢与强氧化剂（例如高锰酸钾、次氯酸钠或硝酸等）剧烈反应。[1]As-H键有酸性，可被去质子化。这个性质经常被利用：AsH3+NaNH2→NaAsH2+NH3AsH3与三烷基铝发生相应的反应时，会生成三聚物[R2AlAsH2]3，当中的R=(CH3)3C。[6]此反应与利用AsH3制备GaAs的反应机理有关，见下。一般认为AsH3是非碱性的，但可被超酸质子化，生成四面体形离子[AsH4]。[7]砷烷用于半导体工业中外延硅的n型掺杂；硅中n型扩散；离子注入；生长砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)以及与III/V族元素形成化合物半导体。AsH3可用于合成与微电子学及固态雷射有关的半导体材料。与磷相似，砷是硅及锗的n-掺染物。[1]更重要的用途是以AsH3为原料，在700-900°C通过化学气相沉积来制造半导体材料砷化镓（GaAs）：Ga(CH3)3+AsH3→GaAs+3CH4 AsH3在司法科学中亦非常著名，因为它可用于砷中毒的探测。旧的（但特别敏感的）马氏试砷法样品中。
