试区别兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位 1、引发原因不同兴奋性突触后电位突触前膜释放递质是Ca2+内流引发的；抑制性突触后电位突触前膜释放递质是Cl-内流引发的。2、递质释放方式不同兴奋性突触后电位递质是以囊。
EPSP与IPSP的异同点 1.兴奋性突触后电位（EPSP）-突触后膜的膜电位在递质作用下发生去极化改变，导致该神经元对其它刺激的兴奋性增高，这种电位变化称为EPSP.是突触后膜产生的局部兴奋，可以。
述中枢抑制的分类及产生机制 在任何反射活动中，中枢内既有兴奋活动，又有抑制活动。中枢抑制也能总和，也有后作用，因此它和中枢兴奋一样也是神经的活动过程。中枢抑制可分为突触后抑制与突触前抑e69da5e887aae799bee5baa6e997aee7ad9431333335323533制两种。突触后抑制 在反射活动中，由于突触后神经元出现抑制性突触后电位而产生的中枢抑制，称为突触后抑制。一个兴奋性神经元兴奋时，只能引起与它联系的其他神经元产生兴奋，而不能直接引起其他神经元产生突触后抑制；只有当兴奋性神经元先引起一个抑制性中间神经元兴奋时，才能转而抑制其他神经元。抑制性中间神经元兴奋时，其末梢释放抑制性递质，使所有与其联系的其他神经元的突触后膜产生抑制性突触后电位，从而使突触后神经元的活动发生抑制。1.抑制性突触后电位当抑制性中间神经元兴奋时，突触前膜释放抑制性递质，递质作用于突触后膜，使后膜发生超极化，膜电位由-70mV向-80mV靠近。这种超极化电位称为抑制性突触后电位。可以设想，在超极化时就不易发生去极化，即不易发生兴奋，也就表现为抑制。抑制性突触后电位形成的原理是突触前膜释放的抑制性递质，能使突触后膜对K 和Cl-（尤其是Cl-，但不包括Na）的通透性升高，Cl-的内流和K 。
