半导体超晶格有哪些基本性质？ 各层的主要半导体性质如带隙和掺杂水平可以独立地控制。多层薄膜的周期可以在生长时人为控制，因而得到了人造的晶体结构即超晶格。多层薄膜中各层的组分突变的超晶格称为组。
MBE 是什么？ MBE风格的原创作者是法国设计师MBE于2015年年底在dribbble网站上发布，从线框型Q版卡通画演变出来的MBE风格。这是他的追波主页（这个网站需要科学上网，打不开的别踩！
超晶格材料属于什么种类的纳米材料 掺杂超晶格的优点：任何一种半导体2113材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格；多层结构的完整性非常好，由5261于掺杂量一般比较小，4102杂质引起的晶格畸变也较小，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的1653异质界面；掺杂超晶格的有效能量版隙可以具有从零到位调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于权各分层厚度和掺杂浓度的选择。
