问一个镜像电流源的问题，初学，不懂 当Ube=Uce时，对应的是晶体管输出特性曲线bai的饱和临界状态。因为Ubc可以看成是0，结两端电压的变化趋势是从反向偏置到临界，此时还没有让du多子大规模扩散的外力介入zhi，所以仍然处于放大状态而非饱和状态。需要注意的是，dao放大状态的条件是Uce大于等于Ub对于基本镜像电流源电回路，T1与T2性能匹配，VCC、R和VT1构成参考支路，提供参考电流IR，VT2与放大级相连接，输出受IR控制的电流源电流Io。VT1虽然形成二极管形式，但仍可答理解为VT1工作于正向作用区，IE1=IC1+IB1仍成立，这是分析电流源电路的关键。
关于镜像电流源的问题 首先要知道导通不等于饱和，饱和CE压降约为0.3V，但导通可以在0.3V到接近电源电压（微电流）范围内
我有一个镜像电流源的问题 我来试着回答一下，我也是自学的，不对请指正：1.恒流的目的是为是稳定工作点，如温度的上升的等因素，会造成三极管的放大倍数增加，那自然IC1和IC2会上升，但Iref=[Vcc-Ube1]÷R是固定的，所以，对应IB就要降下来，虽然放大倍数上去了，对应IC1和IC2也基本不变。那么，放大倍数不一样，或两个管不一样，那么管对温度的敏感度也不一样，会造成静态工作点不稳定，对交流信号进行放大时，有可能会失真。2.输出负载，是交流驱动，还会加个电容去直流，IC2的大小跟IB2和放大倍数有关，Vcc设定的大小跟负载有关，若负载得到的电压为-Ic2Rc，那么自然Vcc要大于Ic2Rc。
