宽禁带半导体相对窄禁带版代替有哪些特殊性质 对于包括半导体在内的晶体，其中的电子既不同于真空中的自由电子，也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态，即可取任何大小的能量；而原子中的电子是处于所谓分离的能级状态。
半导体材料中的复合类型有哪些 半导2113体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展5261的4102尺度可分为点缺陷、线缺陷、面缺1653陷和体缺陷，这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷。从化学的观点看，晶体中的杂质也是缺陷，杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷。一般情况下，晶体缺陷是指结构缺陷。点缺陷(零维缺陷)主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。线缺陷(一维缺陷)半导体晶体中的线缺陷主要是位错。面缺陷(二维缺陷)包括小角晶界、堆垛层错、孪晶。体缺陷(三维缺陷)包括空洞和微沉淀，是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域。微缺陷 除上述四类结构缺陷外，还有一类以择优化学腐蚀后表面出现的以高密度浅底小坑或小丘为其腐蚀特征的一类缺陷，称为微缺陷，目前已发现的微缺陷有三类：(1)生长微缺陷；(2)热诱生微缺陷；(3)雾缺陷。晶体缺陷会使晶体存在缺陷电阻，对半导体晶体能阶也有影响，对载流子数目存在影响晶体缺陷在半导体材料方面的应用：如ZnO，Fe3O4，掺杂半导体，BaTiO3半导瓷等答的不全，仅作为参考
钴的氧化物哪个更稳定 二价钴的氧化物比三价稳定当Co3+与氨或者是氮配位形成配合物时，Co3+相当稳定，比一般的Co2+稳定。具体请参考配合物的稳定常数和禁带宽度（能量的角度），对具有相同配位体数目的同类型络合物来说，K稳值（就是稳定常数）愈大，络合物愈稳定。配合物的稳定性，可以用生成配合物的平衡常数来表示。K稳值越大，表示形成配离子的倾向越大，此配合物越稳定。不过也不能单单地看，用能量的观点只能解释气态离子。比如Fe2+盐地平衡常数大，Fe3+盐的平衡常数反而小.但是通常情况下铁盐的稳定性优于亚铁盐的稳定性.
