什么是过冲(overshoot)和下冲(undershoot) 1、过冲就是第一个bai峰值或谷值du超过设定电压—对于上升zhi沿是指最高dao电压而对于下降沿是指版最低电权压。2、下冲是指下一个谷值或峰值。过分的过冲能够引起保护二极管工作,导致过早地失效。过分的下冲能够引起假的时钟或数据错误。当较快的信号沿驱动一段较长的走线,而走线上没有有效的匹配时,往往会产生过冲。在电路设计中,最小化过冲与减小上升时间的目标会发生冲突。过冲的大小依赖于经历阻尼现象的时间;过冲通常伴有安定时间,即输出到达稳态的时长。扩展资料:1、对付过冲的一般方法是匹配,或叫端接(termination)。端接可总结为两种形式:远端串联匹配消除二次反射,终端并联匹配消除一次反射。2、对于上升沿是指最高电压而对于下降沿是指最低电压。过分的过冲能够引起保护二极管工作,导致过早地失效。3、保护措施:当检测到有过冲现象时,可增加TVS管限制它的峰值,从而达到保护电路的作用。参考资料:—过冲
三极管测温的范围和精度与什么有关 三极管具有热敏特性,其Ube会随着PN结温度温度的升高而下降,大约-2.5~3mV/℃。但是,用三极管的PN结来测温,既不准确、很难标定,线性也不好。三极管是作为有源放大元件来使用的。放大原理1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子e69da5e6ba90e799bee5baa6e79fa5e9819331333337616565(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,。
我国的国之重器,大家知道的有哪些?我国有没有一些世界领先的国之重器!大家知道的有哪些呢:095/096、东风-41、航母003、隐身远轰、“翔龙”和“雕龙”等等,关注下一代。