TTL发射结导通的条件 NPN三极管导通的条件是发射结正偏和集电结反偏，在实际电路中，使集电结反偏的是加在ce的交流电压吗

请教各位高手TTL反相器的工作原理！ TTL反相器工作原理当输入Vi=3.6V(高电平)Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使T1(bc结)T2(be结)T3(be结)同时导通，一但导通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值)，此时V1发射结必截止(倒置放大状态)。Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以T3和D同时导通，T4和D均截止。V0=0.2V(低电平)当输入Vi=0.2V(低电平)Vb1=0.2+0.7=0.9V不 足以使T1(bc结)T2(be结)T3(be结)同时导通，T2 T3均截止，同时Vcc-Rc2-T4-D-负载形成通路，T4和D均导通。V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7=3.6(高电平)结论：输入高，输出低；输入低，输出高(非逻辑)电路中TTL或非门电路中发射极加高电平时集电极为什么能导通？ 是NPN三极管吧。首先，二极管的导通原理是 P端电压比 N端高。NPN三极管可以看成2个二极管，B是P区，C和E是N区。B-E是P-N，B-C也是P-N。所以，发射极E 加高电平的时候，E 端的电位比 B端的电位高或相等，所以 B-E是截止的，因此，这时 B端电压就是VCC吧，由于B端电压是VCC，是高电，所以B-C是P区到N区，它就导通了，这时候集电极的电压就是VCC-0.7V，也是高电了。概括的说：由于发射极电位高，导致B-E截止，所以B端电压高，因此B-C导通，导致C电位高。这时候集电极的导通和三极管的导通原理不一样了，这是基极到集电极的导通。得用二极管的导通原理分析，希望你能理解！数字电路问题，TTL反相器，输入低电平，T1通，为什么T2发射结不导通？ A低为0.3v 是T1导通 T1=0.3+0.7=1v 三极管E C 对称 T1的基级只有1v 不能使T2导通关于TTL反相器的三极管饱和导通的问题 当输入电压VI为高电平时，T2的基极电流为（Vcc-1.4）/4K=3.6/4=0.9mA，只要β大于2，T2即可饱和（T2的饱和电流是1.8mA）。同理可推到T3。T2c大于1.8mA，Vc2=5-1.8x1.6=2.2V，而要T4导通的电压至少要2.2.5V（知道D2的作用了吧），可得T4截止。由于Ie2=1.8mA，Ve2=1.8x1K=1.8V，但Ve2最高电压为0.7V，这是后面T5的基极-发射极的 结电压所限。CE间电压均是按照0.2算的，因为TTL均工作在小电流状态。VBE不加Vce是因为Vce可以向后级索取。满足什么条件时发射极与集电极导通 集电极和发射极偏置电压达到开启电压，小功率三极管或者场效应管一般是0.5~0.7V。