化学气相沉积的应用 最低0.27元/天开通文库会员，可在文库查看完整内容>；原发布者：我是小白1986化学气相沉积？化学气相沉积（CVD)是利用加热、等离子体激励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物质发生反应并以原子态沉积在置于适当位置的衬底上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。CVD可在常压或低压下进行。通常CVD的反应温度范围大约900～1200℃，它取决于沉积物的特性。为克服传统CVD的高温工艺缺陷，近年来开发出了多种中温（800℃以下）和低温（500℃）以下CVD新技术，由此扩大了CVD技术在表面技术领域的应用范围。中温CVD的典型反应温度大约500～800℃，它通常是采用金属有机化合物在较低温度的分解来实现的，所以又称金属有机化合物CVD。化学气相沉积在活化方式、涂层材料、涂层结构方面的多样性以及涂层纯度高、工艺简单易行等一系列的特点，化学气相沉积成为一种非常灵活、应用极为广泛的工艺方法，可以用来制备各种涂层、粉末、纤维和成型元器件。利用化学气相沉积制备薄膜材料首先要选定一个或几个合理的沉积反e69da5e887aae799bee5baa631333433623763应。根据化学气相沉积过程的需要，所选择的化学反应通常应该满足：①反应物质在室温或不太高的温度下最好是气态，或有。
有机金属化学气相沉积法的简介 金属有机化学气相沉积法(MOCVD，Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成长 半导体 薄膜的一种方法。其他类似的名称如：MOVPE(Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE(Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OMCVD(Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前两个字母 MO 或是 OM，指的是半导体薄膜成长过程中所采用的反应源(precusor)为 金属有机物 Metal-organic 或是 有机金属化合物 Organometallic。而后面三个字母 CVD 或是 VPE，指的是所成长的半导体薄膜的特性是属于非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，CVD 所指的是非晶形薄膜的成长，这种成长方式归类于沉积(Deposition)；而 VPE 所指的是具有晶形的薄膜成长方式，这种方式归类于磊晶(Epitaxy)。
M-O的金属有机化合物 英文全称：metallo-organic compound中文全称：金属有机化合物 高纯金属有机化合物即MO源是先进的金属有机化学气相沉积（简称MOCVD）、金属有机分子束外延（简称MOMBE）等技术生长化合物半导体材料的支撑材料。化合物半导体材料是21世纪信息技术—光电子技术的基础。MO源的研制是集极端条件下的制备、超纯纯化、超纯分析、超纯灌装等于一体的现代高新技术。南京大学“国家863计划新材料MO源研究开发中心”是中国MO源产品研制和MO源生产技术研究的主要基地，“中心”先后承担了多项MO源研制的国家“863”高技术发展计划项目和国家科技攻关，在MO源的合成方法、纯化技术、分析方法及灌装技术等方面都取得了重大进展，已经研制出近二十个MO源的主要品种，主要产品的纯度达到99.9999%（6.0N），其中已有十二个品种通过了国家权威部门组织的鉴定或验收，产品总体质量已处于世界同类产品先进水平，部分产品的质量达到世界领先水平。已经建成多个MO源研制专用实验室，其中120m2的超净室，用于MO源产品的超纯纯化、超净样品处理、超净分析和超纯产品灌装。自行设计和监制了MO源合成和纯化专用设备—无氧无水惰性气体操作箱及性能优越的高纯MO源封装容器。确立了MO源电感偶合。
