MgO属于宽禁带半导体吗 在半导体工业中，人们习惯地把锗(Ge)、硅(Si)为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料，把砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料，而把氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌（ZnO）为代表的半导体材料称为第三代半导体材料.由于这些材料的禁带宽度较Si、GaAs等材料更宽，因而它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频及大功率器件，故称这类材料为宽禁带半导体材料(WBG)（通常指禁带宽度大于2.2电子伏特的半导体材料），也称高温半导体材料.
氧化锌为什么能导电 氧化锌是半导体，禁带宽度是3.24电子伏特 追问： 禁带宽度已经属于绝缘体了，为什么还会是半导体呢？追答： 绝缘体是不存在电导的物质。电子能带理论指出，固体中的电子仅。
纳米氧化锌的应用 纳米氧化锌具有很强的吸收红外线的能力，吸收率和热容的比值大，可应用于红外线检测器和红外线传感器；纳米氧化锌还具有质量轻、颜色浅、吸波能力强等特点，能有效的吸收雷达波，并进行衰减，应用于新型的吸波隐身材料；自1991年发现碳纳米管以来，低维纳米材料(如线状、带状、棒状和管状等)由于其本身的独特性质和在纳米器件中的潜在应用而倍受人们的关注。氧化锌(ZnO)是一种重要的光电半导体材料在室温下具有较宽的禁带宽度(3137eV)和较大的激子束缚能(60meV)，被广泛的应用于光电二极管，传感器，压敏电阻和光电探测器，特别是ZnO纳米结构的室温紫外光发射现象的发现，使ZnO再次成为短波半导体激光器件材料研究的点。金属氧化物粉末如氧化锌、二氧化钛、二氧化硅、三氧化二铝及氧化镁等，将这些粉末制成纳米级时，由于微粒之尺寸与光波相当或更小时，由于尺寸效应导致使导带及价带的间隔增加，故光吸收显著增强。各种粉末对光线的遮蔽及反射效率有不同的差异。以氧化锌及二氧化钛比较时，波长小于350纳米（UVB）时，两者遮蔽效率相近，但是在350～400nm（UVA）时，氧化锌的遮蔽效率明显高于二氧化钛。同时氧化锌（n=1.9）的折射率小于二氧化钛（n=2.6），对光的漫反射。
