总结浓度温度对电离度平衡常数的影响 电离bai度：已电离的电解du质分子数与电解质分zhi子总数的比值乘dao以100%电离平衡常数：电解专质电离达到平衡时，属电解质电离出的离子浓度以它们的系数为方次的乘积与电解质平衡浓度的比值水的离子积：水电离出的氢离子和氢氧根离子的浓度的乘积溶度积：难溶电解质电离出的离子浓度以它们的系数为方次的乘积是个常数。溶度积浓度商：就是给你的形成沉淀的各种离子以它们的系数为方次的乘积，用于和溶度积比较是否能生成沉淀
如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 一、性质不同1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧。
稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负。雪崩击穿时温度系数为正。怎么解释温度与击穿电压的关系？为什么齐 我从本质上来分析一下哈，可能有点繁琐，我采用分条列出（可能会好看一点吧）一、雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数分一下几个过程：1、温度升高，晶格的热振动加剧，使载流子运动的平均自由程缩短；（或者可以从迁移率下降来理解）2、平均自由程缩短就相当于加速跑道缩短了，而如果加速度（外加电压）不变的话，就达不到碰撞电离的速度（雪崩击穿）；3、那如果要达到碰撞电离的速度，我们就需要提高外界电压（即提高加速度），也就是雪崩击穿电压变大了；4、综上，温度升高导致雪崩击穿电压升高，即具有正温度系数。二、齐纳击穿的反向击穿电压值具有负温度系数分一下几个过程（只是为了好看一点才分的）1、温度升高，导致禁带宽度变窄（半导体物理知识）；2、禁带宽度变窄，则更容易发生隧穿效应（越窄则电场越强，载流子越容易被拉过去）；3、越容易发生隧道效应，则就不再需要原来那么大的外界电压啦（即击穿电压），击穿电压减小；4、综上，温度升高，击穿电压下降，即负温度系数。
