超晶格的半导体特性 如果超晶格是由两种具有不同带隙的半导体材料构成，每个量子阱都会形成新的选择定则影响电荷在此结构中的运动。这两种半导体材料是交替的以一定的周期沿着特定的生长方向来沉积的。自从1970年江崎和朱兆祥提出这种合成超晶格的方法以来，这种超细半导体的物理机制的研究已经取得了大量的成果。在量子限域（quantum confinement）概念提出以后，人们已经从孤立的量子阱异质结中观察到了量子效应，这些都通过遂穿现象和超晶格紧密的联系在了一起。所以这两种物理概念都是在同样的物理基础上进行讨论的，但是在电子学和光学设备上有着不同的应用。
中国无私奉献淡泊名利的科学家 1、郭永怀 1、郭永怀 郭永怀是力学、空气动力学和应用数学方面的专家，是中国核武器事业的奠基人之一，是“两弹一星”的元勋。郭永怀为国防工业做出巨大贡献，可惜在一次。
MOS管是谁发明的！ MOS管这种结构的出现并不是为了现代的应用目的。在上世纪70年代之前，研究超晶格结构的表面性质时（晶格本身性质如晶格波，晶格传输性质如导电性，晶格的量子效应如量子。
