简述自对准硅化物工艺流程 补充资料：自对准技术微电子技术中利用元件、器件结构特点实现光复印自动对准的技术。早期的 MOS集成电路采用的是铝栅工艺，首先在硅单晶片上热氧化生长一层二氧化硅膜，经第一次光刻，在二氧化硅膜上刻蚀出源和漏扩散窗口，用扩散法形成源和漏扩散区(图1a)，接着在硅片上形成新的二氧化硅层；再经过第二次光刻，刻蚀出栅区，生长栅氧化层；然后，经光刻刻出引线孔，完成蒸铝和刻铝等后工序；最后形成MOS晶体管。因为栅区必须在源和漏扩散区正中间，并需要稍覆盖源区和漏区，第二次光刻以及形成铝栅电极的那步光刻，都必须和第一次光刻的位置精确对准(图1b)。否则，栅区与源区或漏区就可能衔接不上，使沟道断开（图1c），致使MOS晶体管无法工作。因此，设计这类晶体管时往往让栅区宽度（栅氧化膜及其上的铝栅电极两者）比源和漏扩散区的间距要大一些，光刻时使栅区的两端分别落在源和漏扩散区上并有一定余量，由此便产生了较大的栅对源、漏的覆盖电容，使电路的开关速度降低。随硅栅工艺的发展，已实现栅与源和漏的自对准。这种工艺是先在生长有栅氧化膜的硅单晶片上淀积一层多晶硅，然后在多晶硅上刻蚀出两个扩散窗口，杂质经窗口热扩散到硅单晶片内，形成源和漏扩散区（图2），。
MOSFETS饱和时候的漏极电流公式？I=(1/2)UnCox(W/L)(Vgs-Vth)^2 其中Un为电子的迁移速率，Cox为单位面积栅氧化层电容，W/L是宽长比，Vgs-Vth为过驱动电压。。
求几种集成电路工艺中高精度电阻和电容的制作方法？？ 2高精度电阻的制作2．1掺杂法集成电路中用掺杂法制作电阻，一般采用扩散电阻法和离子注入法。2．1．1扩散电阻法扩散电阻法工艺简单，但精度较低，寄生效应大，面积较大。。
