四氟化碳 与硅和二氧化硅的反应 越详细越好 CF4-在电浆下->；2F+CF2SiO2+4F->；SiF4+2OSiO2+2CF2->；SiF4+2COCF4经过电浆轰击产生F原子跟CF2原子团F原子跟CF2原子团分别跟SiO2反应生成挥发性的SiF4F原子跟CF2原子团与Si也能发生反应，但这不是我们想看到的，通过适当调整CF4电浆对晶片表面的离子轰击及所生成的高分子（polymer)层，我们能够做到保护Si而只蚀刻SiO2的高选择比的效果如果CF4中加如适当的O2的话CF4+O->；COF2+2F，可见O原子将会消耗很多碳原子，使得F原子的相对比例提高，实际上，在许多半导体工艺中，就是通过这种方式来控制蚀刻速率的然而实验证明，增加O的含量，CF4对Si的蚀刻速率增加的比对SiO2快，这时我们加入适当的H，通过H+F->；HF来减少F的比例实际上，半导体SI及SIO2蚀刻工艺中，最重要的就是控制C/F的比例
四氟化碳什么做的，有什么用途？ 特性在常温下，baidu四氟化碳是无色、无zhi臭、不燃的dao可压缩性气体版挥发性较高，是最稳定的有机权化合物之一，在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。应用四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子烛刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯阳氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅氮化硅磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
碳和氟化钙反应可以生成四氟化碳吗？反应条件？ 不可以。四氟化碳可由碳与氟反应，或一氧化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或四氯化碳与氟化银反应，或四氯化碳与氟化氢反应制得。
