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什么是IGBT的退饱和(desaturation)?什么情况下IGBT会进入退饱和状态? mosfet栅氧化层tddb失效

2021-04-26知识6

n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置呢?

什么是IGBT的退饱和(desaturation)?什么情况下IGBT会进入退饱和状态? 在IGBT进入退保和状态后,要做哪些操作才能保证IGBT不被烧掉呢

mos管在形成导电沟道时出现的耗尽层和反型层有什么区别? 以NMOS为例,它是P型衬底,空穴是衬底的多子。NMOS要导通的话,得给栅极加正电压,那么栅极金属层将积累…

#mosfet栅氧化层tddb失效

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