n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质，从而形成导电沟道？p沟道的呢？另外，具体是掺在栅氧化层的什么位置呢？
什么是IGBT的退饱和（desaturation）？什么情况下IGBT会进入退饱和状态？ 在IGBT进入退保和状态后，要做哪些操作才能保证IGBT不被烧掉呢
mos管在形成导电沟道时出现的耗尽层和反型层有什么区别？ 以NMOS为例，它是P型衬底，空穴是衬底的多子。NMOS要导通的话，得给栅极加正电压，那么栅极金属层将积累…
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