直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中.
如果给半导体材料的电压超过半导体材料的带隙电子伏特的电压值，会怎样？比如 氧化锌(ZnO) 带隙约 不会怎么样…电子伏特eV是能量单位，电势差也就是电压单位是V。2者根本不能换算。不过超高压会无视导体性质发生质变，比如空气是绝缘的，在超高压雷电这种上亿伏特作用下会变成导体。不过500V还远到不了改变半导体性质的地步，所以不会怎么样
如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本。
