栅氧化层厚度对阈值电压下降的影响神经纤维直径越粗，内阻越小，传递速度越快，那么内阻接近于零时，神经传递速度可以接近光速吗？

2021-04-26知识3

摩尔定律还能走多远作者：硅谷王川，感谢王老师授权转载作者：硅谷王川，感谢王老师授权转载一、摩尔定律的传统定义是：半导体芯片上的晶体管密度，平均每 18-24个月翻一番。.

nmos，pmos传输门为什么会损失阈值电压我来说明2113nmos传输高电平时的阈值损失已知截止条件5261：VGS，线性条件：VDS，饱和条件VDS＞VGS－VTH。先画1653电路图，漏端接Vin输入，源端接Vout输出并联一个电容，衬底b接地，栅端接VDD。得VGS=VDD，VDS=VDD推出VDS＞VGS－VTH，NMOS管工作在饱和区，对负载电容充电，输出电压上升，源漏电压下降，当Vout=VDD－VTH时，即VGS=VDD－Vout=VTH。沟道在源处夹断nmos截止。所以nmos传输高电平有阈值损失。(漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。