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MOSFET的栅极和源极之间的硅氧化层比较容易被击穿,电路采取什么措施? 硅 氧化层

2021-04-26知识3

SOI是什么简称 SOI是什么简称 SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜,SOI材料具有了。

怎样在二氧化硅上生长单晶硅?我对工艺不是很懂.在二氧化硅上直接淀积形成的是非晶硅吗?如果想要在氧化层上长一层单晶硅,或者有没有办法把非晶硅转化成单晶硅?

二氧化硅的化学结构是什么 它的结构可认为是4个氧原子位于四面体的顶点上。多面体中心是一个硅原子。这样,每4个氧原子近似共价键合到硅原子,满足了硅的化合价外壳。如果每个氧原子是两个多面体的一部分,则氧的化合价也被满足,结果就成了称为石英的规则的晶体结构。在熔融石英中,某些氧原子,成为氧桥位,与两个硅原子键合。某些氧原子没有氧桥,只和一个硅原子键合。可以认为热生长二氧化硅主要是由任意方向的多面体网络组成的。与无氧桥位相比,有氧桥的部分越大,氧化层的粘合力就越大,而且受损伤的倾向也越小。干氧氧化层的有氧桥与无氧桥的比率远大于湿氧氧化层。类根据形态可分为硅石、沉淀法二氧化硅、气相法二氧化硅、凝胶法二氧化硅、硅胶、无定形二氧化硅、球形二氧化硅。存在无定形二氧化硅二氧化硅广泛存在于自然界中,与其他矿物共同构成了岩石。天然二氧化硅称为硅石,约占地壳质量的百分之一十二,其存在形式有结晶态和无定形态两种。石英晶体是结晶的二氧化硅,具有不同的晶型和色彩。石英中无色透明的晶体是通常所说的水晶。具有彩色环带状或层状的称为玛瑙。SiO?中Si—O键的键能很高,熔点、沸点较高(熔点1723℃,沸点2230℃)。折射率大约为1.6.各种二氧化硅。

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