手机内存的存储介质是什么啊？存储删除原理又是什么 手机内存的存储介质是闪存。闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，。
如果在1000进行氧化，假设没有初始氧化层，则完成1000栅氧化层需要多少时间 流3569 流3569 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式cj=εs/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压。
关于增强型MOSFET的沟道电阻，为什么栅极氧化层变薄可以降低沟道单位电阻值？ 准确地说是氧化层减小，同样栅压下导致的纵向电场就会变强，沟道内载流子浓度增加，从而沟道电流能力增加。
