椭圆偏振技术的实验细节 （标准）椭圆偏振测量四个史托克参数(Stokes parameters)中的两个，通常以Ψ 及 Δ来表示。入射至样品的光之偏极化状态可被分解成“s”及“p”两项（“s”成份为光之电场振汤垂直入射平面，“p”则平行）。“s”及“p”成份之振幅（强度）在反射及对其初始值做正规化之后，分别标示为 rs及 rp。椭圆偏振测量 rs与 rp之比例，此比例可以下述基本方程式来描述：其中，tanΨ为反射后之振幅比，Δ为相位移（相差）。由于椭圆偏振系测量两项之比值（或差异）而非其绝对数值，因此这技术所得的数据是相当正确且可再现的，其对散射及扰动等因素较不敏感，且不需要标准样品或参考样品。磁光广义椭圆偏振（Magneto-optic generalized ellipsometry，MOGE）是一先进红外光光谱椭圆偏振技术，用来测量在导体样品中自由电荷载子之特性。藉由外在磁场，便有可能独立地决定电子密度（en：Electron density）、光学之电子移动力（EN：electron mobility）参数及自由电荷载子之有效质量（en：effective mass）。在无磁场的状态下，只可能取得其中两项自由电荷载子参数。
关于光的偏振实验中椭圆偏振光极坐标作图问题 数据处理的时候需要将所有极坐标数据转换成直角坐第一组数据是（10度，1.2），那转换成直角坐标就是（1.2*cos10度，1.2*sin10度），1/4波片在转过45度（或45度倍数）时后。
椭圆偏振技术的基本原理 此技术是用来测量“光在反射或穿透样品时，其偏振性质的改变”这样一个数据实验。通常，椭圆偏振多在反射模式下进行。偏振性质的改变主要是由样品的性质，如厚度、复折射率或介电性质（参见英文版Dielectric function），来决定。虽然光学技术受制于先天绕射极限的限制，椭圆偏振却可借由相位资讯及光偏振之状态的改变，来取得埃等级的解析度。在最简单的形式下，此技术可适用于厚度小于一奈米到数微米之间的薄膜。样品必须是由少数几个不连续而有明确介面、光学均匀且具等向性且非吸收光的膜层构成。根据上述的假设，则会不符合标准椭圆偏振处理的程序，因此需要对此技术改进以符合其应用.
