原发布者：anqiuxxj晶体塑性变形的位错机制一、单晶体塑性变形的位错机制（滑移的位错机制）1.1由于晶体中存在着位错，晶体的滑移不是晶体的一部分相对另一部分的移动，而是位错在切应力作用下沿滑移面逐步移动的结果。当一条位错线移动到晶体表面时，会使晶体在表面上留下一个原子间距的滑移台阶，其大小等于柏矢量b.若有大量的位错重复按此方式滑过晶体，就会在晶体表面形成显微镜下能够观测到的滑移痕迹，这就是滑移线的实质。晶体在滑移时并不是滑移面上的所有原子一起运动而是位错中心的原子逐一递进，有一个平衡位置移动到另一个平衡位置。实线PQ表示位错开始位置，而P′Q′表示位错移动了一个原子间距，而位错中心附近的少数原子只做远小于一个原子间距的弹性偏移，而晶体其他区域的原子仍处于正常位置，即位错仅需要一个很小的切应力即可实现，这就是实际滑移的切应力小k于理论切应力τ的原因。1.2位错的增殖随着塑性变形过程的进行，晶体中的位错数目会越来越多，因为晶体中存在着在晶体塑性变形过程中不断增殖位错的位错源。常见的一种位错增殖机制是弗兰克—瑞德拉位错源机制。1.3位错的交割与塞积晶体的滑移实际上是源源不断的位错沿滑移面的运动，在滑移时由于各。
从位错运动的观点，阐述金属塑性变形的物理本质？这怎么看着像题主的作业？金属塑性变形导致强度增加直至断裂才与位错运动与位错增殖有关。单纯的塑性变形只是金属键的断裂。
10.fcc单晶体塑性变形分为几个阶段？怎样用位错理论解释各个阶段的特点 你好，fcc单晶体变形分为三个阶段：易滑移阶段、快速硬化阶段、动态恢复阶段。第一阶段只有一个滑移系开动，位错间隔较大，加工硬化率较低。第二阶段多个滑移系开动，位错。
