原发布者：维普网激光与光电子学进展53，123101（2O16）Laser＆ODtoelectronicsProgress⑥2016《中国激光》杂志社PECVD法制备SiO2薄膜致密性的特性肖和平孙如剑马祥柱杨凯张双翔扬州乾照光电有限公司，江苏扬州225101摘要应用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备SiO薄膜，并用折射率来表征致密性。研究了SiO薄膜致密性与射频（RF）功率、基板温度、腔内压强、N0／siH流量比的关系。通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率，用聚焦离子束扫描电镜（FIB＿sEM）测量了表面微结构。利用能量弥散x射线（EDx）分析薄膜中si、0、N元素含量随工艺参数变化对致密性的影响。进行多因子实验设计（D0E），得出了各种条件下最优的折射率与结构的生长条件，并研究了SiO薄膜致密性随工艺条件变化的机理。关键词薄膜；等离子体增强化学气相淀积；SiO；致密性中图分类号TN30
大一，要参加“互联网+”大学生创新创业大赛有什么合适的项目（0基础）？ 曾经有幸获得第三届互联网+创新创业大赛 国赛银奖“创青春”省赛金奖 国赛银奖对于大一新手做什么项目…
激光与光电子学进展的期刊基本信息 创刊 1964年.月刊名称 激光与光电子学进展英文 Laser&Optoelectronics Progress主管 中国科学院主办 中科院上海光机所承办 中科院上海光机所协办 国家高技术惯性约束聚变委员会 福建师范大学激光与光电子技术研究所主编 范滇元副主编 王建宇 张雨东 相里斌 龚尚庆编辑部 中国激光杂志社ISSN 1006-4125刊号 CN31-1690/TN地址 上海市嘉定区清河路390号邮编 201800
