晶体的滑移方向与位错线的运动方向相同吗 首先要明白一点，密排六方底面是六边形的（好像是正六边形的吧？所以为了方便计算，它将坐标设置成底面以120度为夹角的三个方向，再和垂直底面的一个方面组成新的坐标空间。
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
给出位错运动的点阵主力与晶体结构的关系式，说明为什么晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向。 您想问位错运动的点2113阵阻力与晶体结构的表达式5261？派纳力公式如下4102：a代表滑移面间距，b为位错1653柏氏矢量长度，μ为泊松比。派纳力决定于晶体滑移面和滑移方向，对于同种晶体，滑移面间距a增大则派纳力减小，a减小则派纳力增大，所以晶体的滑移面应该是滑移面间距a最大的面（此时阻力最小），即为最密排面；原子最密排方向上两个平衡原子间距离最小，滑移所需的能量最低，所以晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向。老师刚留了类似的问题，顺手回答一下，希望能够帮到您。
