什么是Latch-up效应，试分析CMOS电路产生Latch-up效应的原因，通常使用哪些方法来防止或抑制Latch-up效应 即闩锁效应，又称自锁效应、闸流效应，它是由寄生晶体管引起的，属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流，这不仅能。
U盘具有磁性吗？科学书上有附图？ U盘，全称“USB闪存盘”，英文名“USB 我们科学书上面有一幅图，注释了包括U盘、磁带、录像带等在内的能够记录信息的磁性产品，而且很明显地表了U盘两个字，但现在U盘不都。
U盘的存储介质是什么呀？是不是磁盘？ 优盘由控电路和闪存记忆2113体组成要讲解闪5261存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起4102。1653EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞）如下图所示，常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。闪存的基本单元电路。
