位错环可以缩小吗 只要记住切应力的方向与柏氏矢量同向的半面晶体为拇指指向的方向，食指为位错线方向，中指指向就是位错线运动方向。（右手定则）—同时你可试一下切应力反向，是不是位错环向内运动（缩小）。
位错的几种观察方法 间接观察，若材料32313133353236313431303231363533e58685e5aeb931333330333633中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点 一个螺位错附近的晶面排列情况处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。下图中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位错腐蚀坑的形态，根据腐蚀坑边缘的形状可以确定硅片的晶体学取向—椭圆形代表硅片表面为(100)晶面，三角形代表硅片表面为(111)晶面。若施加外力令材料发生一系列微小变形，则每次变形后某一特定位错都将处(100)硅片表面的位错于不同的位置。如果每次变形后都对材料表面进行腐蚀，则同一位错形成的一系列腐蚀坑将粗略地显示出位错运动的轨迹。直接观察，利用透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称TEM）可直接观察到材料微结构中的位错。TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。在没有位错存在。
在晶体的某滑移面a上有一位错环，位错环的柏氏矢量 b垂直于滑移面试问位错环在切应力的作用下的运动 所说的半位错应该是指不全位错，全位错是指柏氏矢量是单位点阵矢量的整数倍的位错，不全位错是指柏氏矢量不是单位点阵矢量的整数倍的位错。例如：面心立方中，在｛111｝晶面族上，a/2〈110〉是全位错，而a/6〈112〉，a/3〈111〉就是不全位错.前者是肖克莱不全位错，后者是弗兰克不全位错，面角位错是指带有两个不全位错和两片层错构成的位错组态，又称压杆位错。具体的形成是两个在不同面上的扩展位错在两面的交线处由各自在前端的两个不全位错发生反应所产生的位错，是纯刃型位错，是固定位错。扩展资料：通过位错绕过第二相粒子时产生的位错环比较有特点，在滑移面上运动着的位错遇到坚硬不变形并且比较粗大的第二相粒子时，将受到粒子的阻挡而弯曲，随着外加应力的增加，位错线受阻部分的弯曲加剧，以致围绕着粒子的位错线在左右两边相遇时，正负号位错彼此抵消，形成了包围着粒子的位错环而被留下，其余部分位错线又恢复直线继续前进。这种位错环多见于被辐照的材料当中，是一种典型的缺陷。位错环上与柏氏矢量垂直的两处是刃型位错，与柏氏矢量平行的两处是螺型位错，其余部分均为混合型位错。参考资料来源：-位错环
