单晶的少子寿命与原生多晶硅检测出来的少子寿命有什么关系？ um（微米）是长度单位，是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒）少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的，一个是指能“跑多远”，一个是指能“活多久”，表述不同。
现行测量硅单晶少子寿命的国际标准是什么？？？ GBT+1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
关于光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命的问题 1：为什么样品周围和电极附近不要受光照？答：因为表面处不够光滑，比较粗糙，受到光照会使表面复合的影响增大，造成测量的少子寿命比实际寿命值小，所以要选择较大的样品，进行化学抛光，从而减小样品的表面复合效应.2：样品电阻率不均匀会造成什么结果？答：样品电阻率不均匀会使得样品中不同处所测的的少子寿命不同，则某一次的少子寿命测量值并不能代表半导体的寿命.多次测量取平均值能减小电阻率不均匀的影响3：样品电流大小会对测试结果带来什么影响？答：若样品中电流过大可能会造成样品测量中并非小注入条件，从而使得测量的多子的寿命，而非少子的寿命.而若电流过小，可能不易观测到少子从复合，恢复到平衡状态的过程，而使测量遇到阻碍.
