igbt驱动的简介 在此根据长期使用 IGBT 的经验并参考有关文献对 IGBT 的门极驱动问题做了一些总结，希望对广大 IGBT 应用人员有一定的帮助。1 IGBT 门极驱动要求1.1 栅极驱动电压因 IGBT 栅极-发射极阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在+20 ℃情况下，实测 60 A，1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 5～6 V，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取 Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当 Uge 增加时，导通时集射电压 Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中 Uge 增加，集电极电流 Ic 也将随之增加，使得 IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄，因此 Ugc 的选择不应太大，这足以使 IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力(在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用 IGBT 时，+Uge 在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力)。1.2 对电源的要求对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于 IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使 IGBT。
请问IGBT的驱动为何要负电压？如果负电压太低会有什么后果？ 负电压主要是为了确保关断IGBT，此外负电压还有一个好处就是防止米勒钳位效应，就是上管开通时产生的高di/dt 可能导致的下管误触发的情况，具体自己可以在文库里面搜索，文献很多
求三电平逆变器IGBT驱动电路电磁兼容研究？？ 摘要：分析了三电平逆变器系统中IGBT驱动电路的主要干扰源及耦合途径，在此基础上对lGBT驱动电路EMC设计的一些问题进行了研究，重点讨论了光纤传输信号、辅助电源设计、。
