如果在1000进行氧化，假设没有初始氧化层，则完成1000栅氧化层需要多少时间 流3569 流3569 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式cj=εs/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压。
手机内存的存储介质是什么啊？存储删除原理又是什么 手机内存的存储介质是闪存。闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，。
三极管，MOSFET， IGBT的区别？ http：// weixin.qq.com/r/Uy-L03P ExS66rTew93pB(二维码自动识别) ？ 136 ？ ？ 5 条评论 ？ ？ ？ 喜欢 ？ 继续浏览内容 知乎 发现更大的世界 打开 。
