化学气相沉积(chemicalvapourdepositionCVD)一种高熔点金属的气态化合物和还原气体在气相中直接发生还原反应时，所得的高熔点金属便会聚集成金属粉末。而还原反应在加热至。
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气相沉积法 怎么先把铜 化合成有机金属 或 气体铜离子 金属有机化学气相沉积（MOCVD）是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法 metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD 是一利用气相反应物，或 是前驱物 precursor 和Ⅲ族的有机金属和 V 族的 NH3，在基材 substrate 表面进 行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。
