在金属朝清洗机中如何去除硅片的有机物 1、硅片晶圆超声波清洗机能清洗硅片。2、硅片晶圆生产清洗工艺中，使用超声波清洗机有效去除硅片晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。根据不同清洗工艺配置相应的清洗单元
硅片RCA清洗工艺中，氟化氢HF的氢钝化机理 线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀0.5～1min以达到去除损伤层的效果，此时的腐蚀速率可达到6～10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。HF去除硅片表面氧化层：
太阳能硅片在清洗的过程中怎样防止氧化？ 一般硅片清洗是氢氟酸泡去氧化层，然后用除过氧的水清洗。太阳能硅片不知道有没有不同。
