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外延层氧化层n型阱 请问什么是CV测试

2021-04-23知识9

芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的? 关键点不是操作的步骤,而是怎么弄的那么小,毕竟,按照普通人的理解,细都头发丝就很难准确操作了,希…

晶圆制造工艺-ETCH 最低0.27元开通文库会员,查看完整内容>;原发布者:wy58460647晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD 或LPCVD)。(1)常压CVD(Normal Pressure CVD)(2)低压CVD(Low Pressure CVD)(3)热CVD(Hot CVD)/(thermal CVD)(4)电浆增强CVD(Plasma Enhanced CVD)(5)MOCVD(Metal Organic CVD)&分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy)(6)外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘(pre bake)(3)曝光(4)显影(5)后烘(post bake)(6)腐蚀(etching)(7)光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2 膜注入衬底,形成P 型阱7、去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷(P+5)离子,形成N 型阱9、退火处理,然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层,然后LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化,生长未有氮化硅保护的SiO2 层,形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅,然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2,并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。14、LPCVD。

请问什么是CV测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)。

#外延层氧化层n型阱

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