如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。扩展资料：光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。光致发光特点：1、光致发光优点设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。2、光致发光缺点通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。参考资料来源：-光致发光光谱
如何计算禁带宽度，价带和导带 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：zss17862971852由UV-vis光谱求样品的Eg一半导体2113禁带求5261导公式hC(hvEg)hC(hvEg)21/2通常(ahv)？是有单位的，4102(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2和(ahv)2只与hv成线性关系，能用1653于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：AhK1/2hvEg2AhhvEgKK值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，1/22(Ah)(Ah)以或为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）（2）F(r)=(1-R)2/2R=a/sR为反射率，a吸收系数，s反射系数求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E＝1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用F(R)*E做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱1/2二求半导体禁带实例将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：下面用Kubelka-Munk公式处理：三关于K值大小对结果的影响E。
怎样计算二氧化钛的禁带宽度 方法2：利用 2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值.也可利用0.5 对hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值.前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值.F(R∞)即.
