1600度时在MgO晶体中肖特基缺陷的浓度为8×10-9，如果还有百万分之一（mol）的杂质的Al2O3，请问此时是肖 条件缺失？弗兰克尔缺陷浓度呢？如果仅仅这样。直接比较8×19^-9和10^-6可知，杂质缺陷占优势。
600度时在MgO晶体中肖特基缺陷的浓度为8×10-9，如果还有百万分之一（mol）的杂质 条件缺失？弗兰克尔缺陷浓度呢？如果仅仅这样。直接比较8×19^-9和10^-6可知，杂质缺陷占优势。
半导体光电材料是什么 光电2113材料是指用于制造各种光电设备（5261主要包括各种主、被动光电传感器光4102信息处理和存1653储装置及光通信等）的材料，主要包括红外材料、激光材料、光纤材料、非线性光学材料等。红外探测材料包括硫化铅、锑化铟、锗掺杂（金、汞）、碲锡铅、碲镉汞、硫酸三甘酞、钽酸锂、锗酸铅、氧化镁等一系列材料，锑化铟和碲镉汞是目前军用红外光电系统采用的主要红外探测材料，特别是碲镉汞（Hg-Cd-Te）材料，是当前较成熟也是各国侧重研究发展的主要红外材料。它可应用于从近红外、中红外、到远红外很宽的波长范围，还具有以光电导、光伏特及光磁电等多种工作方式工作的优点，但该材料也存在化学稳定性差、难于制成大尺寸单晶、大面积均匀性差等缺点，Hg-Cd-Te现已进入薄膜材料研制和应用阶段，为了克服该材料上述的缺点，国际上探索了新的技术途径：（1）用各种薄膜外延技术制备大尺寸晶片，这些技术包括分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）和金属有机化合物气相淀积（MOCVD）等。特别是用MOCVD可以制出大面积、组分均匀、表面状态好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制备大面积焦平面阵列红外探测器。国外用MOCVD法已制成面积大于5cm2、均匀性良好、Δx=0.2±0.005、工艺重复。
