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氧化层厚度tox 经热氧化方式生长厚度为tox的二氧化硅,将要消耗多少硅

2021-04-23知识8

场效应晶体管bss229小信号模型参数中,w,l,kp,tox分别表示什么含义 w模型参数:沟道宽度Ll模型参数:沟道长度kp模型参数:跨导tox模型参数:氧化层厚度

n-mosfet的阈值电压: 我才上初中。不会。

nmos,pmos传输门为什么会损失阈值电压 我来说明2113nmos传输高电平时的阈值损失已知截止条件5261:VGS,线性条件:VDS,饱和条件VDS>VGS-VTH。先画1653电路图,漏端接Vin输入,源端接Vout输出并联一个电容,衬底b接地,栅端接VDD。得VGS=VDD,VDS=VDD推出VDS>VGS-VTH,NMOS管工作在饱和区,对负载电容充电,输出电压上升,源漏电压下降,当Vout=VDD-VTH时,即VGS=VDD-Vout=VTH。沟道在源处夹断nmos截止。所以nmos传输高电平有阈值损失。(漏端想传递源端的电压,但在漏端电压Vd=VDD-VTH时nmos管截止,电压不会再升高,所以存在阈值损失。

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