什么是三栅极氧化层工艺 三层氧化层作为栅介质层，每层中间夹杂其它介质层
为什么离子注入前要生长一层薄的氧化层？ 增强离子进入时方向的随机性，抑制离子注入的沟道效应。你好！对硅材料进行注入么？并没有听说过注入前必须要形成什么氧化层的，但是有道工艺是做TFT的SD掺杂，一般会形成。
为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量不同，为什么氧化层厚度越薄的电荷的存储容量越大 氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多.
