如何评价「天才少年」曹原再次连发两篇魔角石墨烯的 Nature？ 相信不少搞科研（搬砖）的小伙伴们又双叒被大神曹原的这条新闻刷屏（深深刺激）了。犹记得，那是2018年的…
超晶格的半导体特性 如果超晶格是由两种具有不同带隙的半导体材料构成，每个量子阱都会形成新的选择定则影响电荷在此结构中的运动。这两种半导体材料是交替的以一定的周期沿着特定的生长方向来沉积的。自从1970年江崎和朱兆祥提出这种合成超晶格的方法以来，这种超细半导体的物理机制的研究已经取得了大量的成果。在量子限域（quantum confinement）概念提出以后，人们已经从孤立的量子阱异质结中观察到了量子效应，这些都通过遂穿现象和超晶格紧密的联系在了一起。所以这两种物理概念都是在同样的物理基础上进行讨论的，但是在电子学和光学设备上有着不同的应用。
半导体超晶格有哪些基本性质？ 各层的主要半导体性质如带隙和掺杂水平可以独立地控制。多层薄膜的周期可以在生长时人为控制，因而得到了人造的晶体结构即超晶格。多层薄膜中各层的组分突变的超晶格称为组。
