屈服现象与位错运动有什么关系 我先po两个公式，有个东西在word上我实在不知道怎么打出来，所以就手写了：通过公式可知，要提高位错运动速度，就需要较高的应力，塑性变形一旦开始，位错就大量增殖，使可。
位错的几种观察方法 间接观察，若材料32313133353236313431303231363533e58685e5aeb931333330333633中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点 一个螺位错附近的晶面排列情况处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。下图中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位错腐蚀坑的形态，根据腐蚀坑边缘的形状可以确定硅片的晶体学取向—椭圆形代表硅片表面为(100)晶面，三角形代表硅片表面为(111)晶面。若施加外力令材料发生一系列微小变形，则每次变形后某一特定位错都将处(100)硅片表面的位错于不同的位置。如果每次变形后都对材料表面进行腐蚀，则同一位错形成的一系列腐蚀坑将粗略地显示出位错运动的轨迹。直接观察，利用透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称TEM）可直接观察到材料微结构中的位错。TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。在没有位错存在。
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
