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朋友们询问一下!!专业的气相沉积炉原理,气相沉积炉性能怎么样?? 有机金属化合物气相沉积

2021-04-10知识13

气相沉积法 怎么先把铜 化合成有机金属 或 气体铜离子 金属有机化学气相沉积(MOCVD)是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其原理为利用有机金属化学气相沉积法 metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD 是一利用气相反应物,或 是前驱物 precursor 和Ⅲ族的有机金属和 V 族的 NH3,在基材 substrate 表面进 行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。

什么是真空气相沉积晶体

CVD(化学气相沉积)的原理及应用是什么 CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积),指把含有2113构成薄膜元素的气5261态反应4102剂或液态反应剂的蒸气及反应所需1653其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后,表面处理膜密着性约提高30%,防止高强力钢的弯曲,拉伸等成形时产生的刮痕。CVD是Chemical Vapor Deposition的简称,是指高温下的气相反应,例如,金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解,氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的,但目前,不只应用于耐热物质的涂层,而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等,是一个颇具特征的技术领域。其技术特征在于:(1)高熔点物质能够在低温下合成;(2)析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种;(3)不仅可以在基片上进行涂层,而且可以在粉体表面涂层,等。特别是在低温下可以合成高熔点物质,在节能方面做出了贡献,作为一种新技术是大有前途的。例如,在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC,而且正向更低温度发展。CVD工艺大体分为二种。

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