直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中.
一氧化锡与氧化锡区别是什么？ 1、分子式：一氧化2113锡又称氧化亚5261锡，分子式为SnO，其中锡4102的化合价为2价，氧化锡1653又称二氧化锡，分子式为SnO2，其中锡的化合价为4价；2、颜色：一氧化锡为蓝黑色金属结晶粉末；氧化锡为白色、淡黄色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末；3、物理性质：一氧化锡沸点1080℃，密度6.45g/mL，氧化锡熔点1630℃，沸点1080℃，密度6.95 g/mL；4、化学性质：一氧化锡具有强还原性。用于催化剂、还原剂、亚锡盐的制备，在电镀中用于配制氟硼酸亚锡和其他可溶性亚锡盐。氧化锡是一种优秀的透明导电材料。它是第一个投入商用的透明导电材料，为了提高其导电性和稳定性，常进行掺杂使用，如SnO2：Sb、SnO2：F等。5、产生：一氧化锡：将二水合氯化亚锡用尽可能少的热浓盐酸溶解。在搅拌下慢慢添加碳酸钠水溶液制备一氧化锡。氧化锡：制备方法很多，包括固相合成法、液相合成法和气相合成法三类，每一类又分很多种方法。当前常用的方法有溶胶凝胶法，共沉淀法，电化学沉积法等。参考资料来源：—氧化亚锡（一氧化锡）参考资料来源：—氧化锡
ITO导电玻璃的方阻是什么意思？FTO和ITO有什么区别 ITO导电玻璃的方阻，是指镀在玻璃面板上的一层ITO薄膜的方块电阻（即ITO的表面电阻率）.对它的测量可以反映薄膜的厚度、透过率.区别是：ITO是在氧化锡中掺了铟离子；FTO是在氧化锡中掺了氟离子.两者都可以做成透明导电膜.
