扩展位错属于什么缺陷？ 扩展2113位错是一个缺陷体系，不是单纯的线缺5261陷和面缺陷。4102在fcc晶体中通过不同1653面上的位错扩展和在交线上的反应而生成面角位错。在hcp晶体中因为只有唯一的面，所以位错扩展的方式比较单纯。在bcc晶体中全位错分解的方式较多，在(112)面上都可以发生扩展。
位错就是晶体中的线缺陷，（即原子排列的一种错排）。他可以分为刃位错，螺位错和混合型位错！1、什么是位错 位错是晶体中最为常见的缺陷之一，它对晶体材料的各种性质都有。
扩展位错的原理 扩展位错根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有b=bk式中b是未扩展全位错的伯格斯矢量，瓦是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于(至多等于)扩展前 全位错的能量护)乏b又+层错能最常被引述的例子是fcc晶体中的位错扩展反应。两个肖克利不全位错与中间相联的一条层错带。在fcc晶体中两个不同的、相互截交的{111}面交线附近还可以通过不同面上的位错扩展和在交线上的反应而生成一个复杂的不可动体系，称为面角位错，又称洛默一科特雷尔位错锁。hcp晶体中因为只有唯一的(0001)面，所以位错扩展的方式比较单纯。bcc晶体中全位错分解的方式较多，例如在(112)面上可以发生扩展。
