如图2－2所示，某晶体滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环，并受到一均匀切应力τ的作用。 ①分析各段位错线的类 分析此问题要结合柏氏矢量与位错类型的关系、与位错有关的力的表达式、判断多余半原子面位置的右手法则等知识点。对于类似问题，当未知位错线的方向，可以设定其方向后进行。
怎么根据切应力和柏氏矢量判断螺型位错的运动方向 切应力和柏氏矢量平行就是位错滑移，相垂直就是攀移。
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
