阈值电压和关断电压之间的差值越大越好还是越小越好？ 阈值电压受衬偏效2113应的影响，即衬底偏置电位，零点5261五微米工艺水平下一阶4102mos spice模型的标准阈值电压1653为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
阈值电压的一点矛盾？ 栅极加电压可以形成反型层，当MOSFET的衬底级加负电压是不是也能形成反型？那么此时阈值电压不就减小了么…
nmos，pmos传输门为什么会损失阈值电压 我来说明nmos传输高电平时的阈值损失 我来说明nmos传输高电平时的阈值损失 已知截止条件：VGS，线性条件：VDS，饱和条件VDS＞VGS－VTH。先画电路图，漏端接Vin输入，源端接Vout。
